Știm că tipul p și tipul n semiconductori intră sub semiconductori extrinseci. Clasificarea semiconductorului se poate face pe baza dopajului, cum ar fi intrinsec și extrinsec, în funcție de puritatea în cauză. Există mulți factori care generează diferența principală între acești doi semiconductori. Formarea materialului semiconductor de tip p se poate face prin adăugarea elementelor din grupa III. În mod similar, tipul n semiconductor materialul poate fi format prin adăugarea elementelor din grupa V. Acest articol discută diferența dintre semiconductorii de tip P și semiconductorii de tip N.
Ce este semiconductor de tip P și semiconductor de tip N?
Definițiile tipului p și tipului n și diferențelor lor sunt discutate mai jos.
Semiconductorul de tip P poate fi definit ca, odată ce atomii de impuritate trivalenți, cum ar fi indiul, galiul sunt adăugați la un semiconductor intrinsec, și apoi este cunoscut sub numele de semiconductor de tip p. În acest semiconductor, purtătorii de sarcină majoritari sunt găuri, în timp ce purtătorii de sarcină minoritari sunt electroni. Densitatea găurii este mai mare decât electroni densitate. Nivelul de acceptare se află în principal mai aproape de banda de valență.
Semiconductor de tip P
Semiconductorul de tip N poate fi definit ca, odată ce atomii de impuritate pentavalenți precum Sb, As sunt adăugați la un semiconductor intrinsec, și apoi este cunoscut sub numele de semiconductor de tip n. În acest semiconductor, purtătorii de sarcină majoritari sunt electroni, în timp ce purtătorii de sarcină minoritari sunt găuri. Densitatea electronilor este mai mare decât densitatea găurilor. Nivelul donatorului se află în principal mai aproape de banda de conducere.
Semiconductor de tip N
Diferența dintre semiconductor de tip P și semiconductor de tip N
Diferența dintre un semiconductor de tip p și un semiconductor de tip n include în principal diferiți factori și anume purtătorii de sarcină, cum ar fi majoritatea și minoritatea, elementul de dopaj, natura elementului de dopaj, densitatea purtătorilor de sarcină, nivelul Fermi, nivelul de energie, mișcarea direcției majorității purtătorilor de sarcină, etc. formular de mai jos.
| Semiconductor de tip P | Semiconductor de tip N |
| Semiconductorul de tip P poate fi format prin adăugarea de impurități trivalente | Semiconductorul de tip N se poate forma prin adăugarea de impurități pentavalente |
| Odată ce impuritatea este adăugată, atunci creează găuri sau loc liber de electroni. Deci, acest lucru se numește atom acceptor. | Odată adăugată impuritatea, atunci dă electroni suplimentari. Deci, acest lucru se numește donator Atom. |
| Elementele grupului III sunt Ga, Al, In etc. | Elementele grupului V sunt As, P, Bi, Sb etc. |
| Purtătorii de încărcare majoritari sunt găuri și purtătorii de încărcare minoritari sunt electroni | Purtătorii de încărcare majoritari sunt electroni, iar purtătorii de încărcare minoritari sunt găuri |
| Nivelul Fermi al semiconductorului de tip p se află în principal printre nivelul de energie al acceptorului și banda de valență. | Nivelul Fermi al semiconductorilor de tip n se află în principal printre nivelul de energie al donatorului și al benzii de conducere. |
| Densitatea găurii este foarte mare decât densitatea electronului (nh >> ne) | Densitatea electronului este foarte mare decât densitatea găurii (ne >> nh) |
| Concentrația transportatorilor de taxe majoritare este mai mare | Concentrația transportatorilor de taxe majoritare este mai mare |
| În tipul p, nivelul de energie al acceptorului este aproape de banda de valență și absent din banda de conducție. | În tipul n, nivelul de energie al donatorului este aproape de banda de conducere și absent din banda de valență. |
| Mișcarea majorității operatorului de încărcare va fi de la potențial ridicat la scăzut. | Mișcarea majorității operatorului de încărcare va fi de la potențial scăzut la mare. |
| Când concentrația găurilor este mare, atunci acest semiconductor poartă sarcina + Ve. | Acest semiconductor are, de preferință, o încărcare -Ve. |
| Formarea găurilor din acest semiconductor este numită acceptori | Formarea electronilor în acest semiconductor este numită acceptori |
| Conductivitatea tipului p se datorează prezenței purtătorilor de sarcină majoritari, cum ar fi găurile | Conductivitatea de tip n se datorează prezenței purtătorilor de sarcină majoritari precum electronii. |
Întrebări frecvente
1). Care sunt elementele trivalente utilizate în tipul p?
Sunt Ga, Al etc.
2). Ce sunt elementele pentavalente utilizate în tipul n?
Ele sunt As, P, Bi, Sb
3). Care este densitatea găurilor în tipul p?
Densitatea găurilor este mai mare decât densitatea electronilor (nh >> ne)
4). Care este densitatea electronilor în tipul n?
Densitatea electronilor este mai mare decât densitatea găurilor (ne >> nh)
5). Care sunt tipurile de semiconductori?
Sunt semiconductori intrinseci și extrinseci
6). Care sunt tipurile de semiconductori extrinseci?
Sunt semiconductori de tip p și semiconductori de tip n.
Astfel, este vorba despre diferența principală dintre un semiconductor de tip p și un tip n semiconductor . În tipul n, operatorii de încărcare majoritari au o taxă -ve, astfel este denumită tipul n. În mod similar, în tipul p, rezultatul unei sarcini + ve poate fi format în absența electronilor, astfel este denumit de tip p. Diferența materială dintre dopajul acestor doi semiconductori este direcția de curgere a electronului în straturile de semiconductori depuse. Ambii semiconductori sunt buni conductori pentru electricitate. Iată o întrebare pentru dvs., care este mișcarea transportatorilor de taxă majoritară în tipul p și tipul n?
