Circuit amplificator DJ de mare putere de 250 W MosFet DJ

Designul puternic al circuitului amplificatorului DJ MOSFET furnizat în acest articol este destul de ușor de construit și va produce 250 de wați de muzică într-un difuzor de 4 ohmi. Utilizarea HEXFET-urilor la ieșire asigură o amplificare monstruoasă de curent și tensiune.

Implicarea MOSFET-urilor sau, mai degrabă, a HEXFET-urilor în etapa de ieșire a acestui circuit amplificator MOSFET de 250 wați promite o amplificare înaltă și eficientă atât a tensiunii, cât și a curentului. Circuitul prezintă în special caracteristici impresionante, cum ar fi distorsiunea redusă și tensiunea de compensare externă și reglajele curente de repaus.

Etapa de intrare a amplificatorului

Etapa de ieșire a puterii amplificatorului

Cum funcționează circuitul

Acest circuit remarcabil de amplificator MOSFET de 250 de wați poate fi utilizat ca amplificator DJ în concerte, petreceri, terenuri deschise etc. Designul simetric produce distorsiuni neglijabile. Să încercăm să analizăm detaliile circuitului:

Referindu-ne la schema circuitului, vedem că etapele de intrare constau în principal din două amplificatoare diferențiale. Blocurile T1 și T2 sunt de fapt potrivite tranzistori duali împerecheați într-un singur pachet, dar puteți alege tranzistori discreți, asigurați-vă că hF-urile lor sunt potrivite corespunzător. Utilizați câteva BC 547 și BC 557 pentru tipurile NPN și respectiv PNP.

O configurație diferențială este probabil modalitatea perfectă de integrare a două semnale, de exemplu aici intrarea și semnalele de feedback sunt amestecate atât de eficient.

De obicei, raportul dintre rezistențele colector / emițător de T1 determină amplificarea acestei etape.
Referința de funcționare CC pentru T1 și T2 este recepționată de la câteva tranzistoare T3 și T4 împreună cu LED-urile asociate.

Rețeaua de mai sus LED / tranzistor ajută, de asemenea, să furnizeze o sursă de curent constantă la etapa de intrare, deoarece rămâne practic neafectată variațiilor de temperatură ambientală, dar de preferință perechea LED / tranzistor ar trebui să fie atașată împreună prin lipirea lor sau cel puțin lipită foarte aproape de reciproc peste PCB.

Imediat după condensatorul de cuplare C1, rețeaua cuprinzând R2, R3 și C2 formează un filtru eficient de trecere joasă și ajută la menținerea lățimii de bandă la un nivel adecvat pentru amplificator.
O altă rețea mică la intrare, care implică o presetare de 1M și câteva rezistențe 2M2 ajută la reglarea tensiunii off-set, astfel încât componenta DC de la ieșirea amplificatorului să rămână la potențial zero.

După etapa diferențială se introduce o etapă intermediară de antrenare cuprinzând T5 și T7. Configurația constând din T6, R9 și R17 formează un fel de regulator de tensiune variabilă, care este utilizat pentru a seta consumul de curent în repaus al circuitului.

Semnalul amplificat din stadiul de mai sus merge la stadiul driverului format din T8 și T9, care sunt efectiv utilizate pentru a conduce stadiul de putere de ieșire care implică HEXFET-urile T10 și T11, unde semnalele suferă în cele din urmă o amplificare masivă de curent și tensiune.

Din diagramă este clar identificabil faptul că T10 este un canal p și T11 este un FET cu canal n. Această configurație permite amplificarea eficientă atât a curentului, cât și a tensiunii în acest stadiu. Amplificarea generală este deși limitată la 3 datorită cablajului de feedback al R22 / R23 și, de asemenea, cu R8 / C2. Limitarea asigură o distorsiune scăzută la ieșire.

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici etapa de ieșiri care încorporează HEXFET-uri au un avantaj distinct față de contrapartea sa veche. HEXFET-urile sunt dispozitive cu coeficient de temperatură pozitiv sunt echipate cu proprietatea inerentă de a-și limita sursa de scurgere deoarece temperatura carcasei tind să se încălzească prea mult, protejând dispozitivul de situațiile de fugă termică și arzându-se.

Rezistorul R26 și condensatorul de serie compensează impedanța crescătoare a difuzorului la frecvențe mai mari. Inductorul L1 este plasat pentru a proteja difuzorul de semnalele de vârf în creștere instantanee.

Lista de componente

• R1 = 100K
• R2 = 100K
• R3 = 2K
• R4,5,6,7 = 33 E
• R8 = 3K3,
• R9 = 1K PRESET,
• R10,11,12,13 = 1K2,
• R14,15 = 470E,
• R16 = 3K3,
• R17 = 470E,
• R18,19,21,24 = 12E,
• R22 = 220, 5 WATT
• R20,25 = 220E,
• R23 = 56E, 5 WATTS
• R26 = 5E6, ½ WATT
• C1 = 2.2uF, PPC,
• C2 = 1nF,
• C3 = 330pF,
• C6 = 0.1uF, mkt,
• T3 = BC557B,
• T4 = BC547B,
• T7,9 =
  TIP32,
• T5,6,8 = TIP31,
• T10 = IRF9540,
• T11 = IRF540,

O versiune alternativă a amplificatorului de putere de 250 wați explicat mai sus poate fi văzută în următoarea diagramă, având toate detaliile referitoare la componente: